Showing 25 of 264 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ100N06LS3G
Infineon
|
1 | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON T/R | Other | BSZ100N06LS3G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSZ100N06LS3GATMA1
Infineon
|
1 | MOSFET N-ch OptiMOS3 60V 20A TSDSON8 | Other | BSZ100N06LS3GATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSZ100N06NSATMA1
Infineon
|
1 | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Other | BSZ100N06NSATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSZ105N04NSG
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ105N04NSG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03MSG
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ100N03MSG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSZ100N06LS3GXT
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ100N06LS3GXT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ100N03MSGATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSZ100N06NS
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ100N06NS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSZ105N04NSGATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ105N04NSGATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ100N03LSGATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSZ100N03LSG
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ100N03LSG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11A4QAEBSZ10472MA
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.5W, 4700ohm, 48.5V, 20% +/-Tol, 500ppm/Cel, 4949 | P11A4QAEBSZ10472MA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ADSP-2101BSZ-100
Analog Devices Inc
|
1 | Digital Signal Processor, 16-Bit Size, 24-Ext Bit, 25MHz, CMOS, PQFP80 | ADSP-2101BSZ-100 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11A7T0ABSZ10104MS
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.5W, 100000ohm, 224V, 20% +/-Tol, 500ppm/Cel, 4949 | P11A7T0ABSZ10104MS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11A1TAABSZ10472MA
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.5W, 4700ohm, 48.5V, 20% +/-Tol, 500ppm/Cel, 4949 | P11A1TAABSZ10472MA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11L1QBEBSZ10102KF
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Cermet, 0.05W, 1000ohm, 7.1V, 10% +/-Tol, 150ppm/Cel, 1 Turn(s) | P11L1QBEBSZ10102KF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11A7T0ABSZ10472MA
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.5W, 4700ohm, 48.5V, 20% +/-Tol, 500ppm/Cel, 4949 | P11A7T0ABSZ10472MA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11A5QBEBSZ10472MA
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.5W, 4700ohm, 48.5V, 20% +/-Tol, 500ppm/Cel, 4949 | P11A5QBEBSZ10472MA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11A6Q0EBSZ10503MS
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.5W, 50000ohm, 158V, 20% +/-Tol, 500ppm/Cel, 4949 | P11A6Q0EBSZ10503MS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11A6T0ABSZ10222MS
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.5W, 2200ohm, 33.2V, 20% +/-Tol, 500ppm/Cel, 4949 | P11A6T0ABSZ10222MS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11L1QAEBSZ10503KF
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Cermet, 0.05W, 50000ohm, 50V, 10% +/-Tol, 150ppm/Cel, 1 Turn(s) | P11L1QAEBSZ10503KF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11L4QAEBSZ10103JA
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Cermet, 0.1W, 10000ohm, 31.6V, 5% +/-Tol, 150ppm/Cel, 1 Turn(s) | P11L4QAEBSZ10103JA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11L1QAEBSZ10503JA
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Cermet, 0.1W, 50000ohm, 70.7V, 5% +/-Tol, 150ppm/Cel, 1 Turn(s) | P11L1QAEBSZ10503JA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11L1Q0EBSZ10503KF
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Cermet, 0.05W, 50000ohm, 50V, 10% +/-Tol, 150ppm/Cel, 1 Turn(s) | P11L1Q0EBSZ10503KF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
P11A2T0ABSZ10504MA
Vishay Intertechnologies
|
1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.25W, 500000ohm, 350V, 20% +/-Tol, -500,500ppm/Cel, 4949, | P11A2T0ABSZ10504MA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||