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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUB323ZT4G
onsemi
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1 | Integrated High–Voltage Active Clamp; Tight Clamping Voltage Window (350 V to 450 V)Guaranteed Over the –40°C to +125°C Temperature Range; Clamping Energy Capability 100% Tested in a Live Ignition Circuit; High DC Current Gain/Low Saturation Voltages Specified Over Full Temperature Range; Design Guarantees Operation in SOA at All Times; Pb-Free Packages are Available | Other | BUB323ZT4G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUB323ZG
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | BUB323ZG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUB323ZT4
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | BUB323ZT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUB323ZT4G
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 | BUB323ZT4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUB323ZG
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 | BUB323ZG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUB323ZT4
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 418B-04, D2PAK-3 | BUB323ZT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUB323Z
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | BUB323Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NJVBUB323ZT4G
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | NJVBUB323ZT4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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