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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL1203E
STMicroelectronics
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 550 V 5 A - 100 W Through Hole TO-220 | Transistor Outline, Vertical | BUL1203E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL128D-B
STMicroelectronics
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1 | BUL128D-B, NPN Bipolar Transistor, 4 A 400 V HFE:10 Power, 3-Pin TO-220 | Transistor Outline, Vertical | BUL128D-B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL1203EFP
STMicroelectronics
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 550 V 5 A 36 W Through Hole TO-220-3,1.5V @ 1A, 3A,9 @ 2A, 5V,36 W 150°C (TJ) | Other | BUL1203EFP |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL128D
Inchange Semiconductor Company Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor | BUL128D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL123D
Shenzhen SI Semiconductors Co Ltd
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1 | Transistor | BUL123D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL128-A
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | BUL128-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL128D
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | BUL128D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL129D
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | BUL129D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL1203G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | BUL1203G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL1203-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | BUL1203-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL128D
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | BUL128D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL128D-A
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | BUL128D-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL128-B
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | BUL128-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL128DL
Shenzhen SI Semiconductors Co Ltd
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1 | Transistor | BUL128DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL1203L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 550V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | BUL1203L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL128
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | BUL128 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL128FP
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | BUL128FP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUL1203E
Inchange Semiconductor Company Ltd
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1 | Transistor | BUL1203E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K6R4008V1B-UL12
Samsung Semiconductor
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1 | Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44 | K6R4008V1B-UL12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K6R4008V1B-UL12T
Samsung Semiconductor
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1 | Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44 | K6R4008V1B-UL12T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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