Showing 25 of 309 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ-1.5-9.5MM
Linkman
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1 | Self - excited buzzer | Other | BUZ-1.5-9.5MM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ11-NR4941
onsemi
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1 | Majority Carrier Device; High Input Impedance; Related Literature- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”; RDS(ON)= 0.040Ω; SOA is Power Dissipation Limited; Linear Transfer Characteristics; Nanosecond Switching Speeds; 30A, 50V | Transistor Outline, Vertical | BUZ11-NR4941 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
STMicroelectronics
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1 | TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY■ 100% AVALANCHE TESTED■ HIGH CURRENT CAPABILITY■ 175oC OPERATING TEMPERATURE | Transistor Outline, Vertical | BUZ10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ11
Renesas Electronics
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1 | Transistor, MOSFET, N Channel, 75W, BUZ11 | Transistor Outline, Vertical | BUZ11 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ172
Infineon
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1 | SIPMOS® Power Transistor P channel -100 V -5.5 A,0.6 Ω,-55+ 150C | Transistor Outline, Vertical | BUZ172 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ-1.5-9.5MM
IS Fusion
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1 | self-excited buzzer 5V φ9.6 | BUZ-1.5-9.5MM |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ111SE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ111SE3045A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ11AL-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ11AL-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ101L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ12AL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ12AL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ111S
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | BUZ111S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ101S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ11-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ11-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ12A-E3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ12A-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ11N
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ11N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ12A-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ12A-E3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ11S
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ11S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ11AD1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ11AD1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19.3A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ172-E3044
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ172-E3044 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10A
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100L
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ100L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ10L-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ10L-E3046 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||