Showing 25 of 152 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CG2H40035P
MACOM
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | CG2H40035P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40035F
Wolfspeed
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CG2H40035F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40025P
Cree, Inc.
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, | CG2H40025P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40025F
Cree, Inc.
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, | CG2H40025F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40120P
MACOM
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | CG2H40120P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40010P
Cree, Inc.
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, | CG2H40010P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40045F
MACOM
|
1 | GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt | CG2H40045F |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40025F
Wolfspeed
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CG2H40025F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40045P
Cree, Inc.
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, | CG2H40045P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40045P
Wolfspeed
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CG2H40045P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40010P
Wolfspeed
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CG2H40010P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40120F
Wolfspeed
|
1 | RF JFET Transistors GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W | CG2H40120F |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40010P
MACOM
|
1 | RF Mosfet 28 V 200 mA 8GHz 16.7dB 10W 440196 | CG2H40010P |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40045P
MACOM
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | CG2H40045P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40025P
MACOM
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | CG2H40025P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40010F
Cree, Inc.
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, | CG2H40010F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40035F
MACOM
|
1 | RF JFET Transistors 35W GaN HEMT 24V 4GHz Flange | CG2H40035F |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40045F
Wolfspeed
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CG2H40045F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40120P
Wolfspeed
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CG2H40120P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40035F
Cree, Inc.
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, | CG2H40035F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40035P
Wolfspeed
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CG2H40035P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40120F
MACOM
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor | CG2H40120F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40025F
MACOM
|
1 | RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt | CG2H40025F |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40010F
Wolfspeed
|
1 | RF JFET Transistors GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt | CG2H40010F |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CG2H40045F
Cree, Inc.
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, | CG2H40045F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||