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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W120G3-4AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W120G3-4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W65G3-4AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W65G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 110 A in an HiP247 package | Transistor Outline, Vertical | SCT040W65G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W65G3-4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT04-050
ICE Components
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1 | Current Transformers SMT Current Sense Xfmr 20A, 1:50 | Other | CT04-050 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040H65G3-7
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H65G3-7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H65G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3
STMicroelectronics
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1 | • Very fast and robust intrinsic body diode• Very low RDS(on) over the entire temperature range• High speed switching performances• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) | Transistor Outline, Vertical | SCT040W120G3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040TO65G3
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package | Other | SCT040TO65G3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an HU3PAK package | Other | SCT040HU65G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040H120G3-7
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H120G3-7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package | Other | SCT040HU120G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H120G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
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1 | • AEC-Q101 qualified• Very low RDS(on) over the entire temperature range• High speed switching performances• Very fast and robust intrinsic body diode• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) | Transistor Outline, Vertical | SCT040W120G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402L14G
TDK Electronics
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1 | RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT | CT0402L14G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CSF-36NJ
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.036uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402CSF-36NJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402QWF-33NH
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.033uH, 3%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402QWF-33NH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402HPF-2N2J
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.0022uH, 5%, 1 Element, SMD, 0402 | CT0402HPF-2N2J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CS-5N6K
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.0056uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD | CT0402CS-5N6K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402D
EMC Technology RF Labs
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1 | 0MHz Min, 18000MHz Max, 50ohm | CT0402D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402HPF-39NJ
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.039uH, 5%, 1 Element, SMD, 0402 | CT0402HPF-39NJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402QWF-23NG
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.023uH, 2%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402QWF-23NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CSF-3N6H
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.0036uH, 3%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402CSF-3N6H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CSF-30NJ
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.03uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402CSF-30NJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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