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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W120G3-4AG |
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SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W120G3-4 |
3
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SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W65G3-4AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W65G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 110 A in an HiP247 package | Transistor Outline, Vertical | SCT040W65G3AG |
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SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W65G3-4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT04-050
ICE Components
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1 | Current Transformers SMT Current Sense Xfmr 20A, 1:50 | Other | CT04-050 |
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SCT040H65G3-7
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H65G3-7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H65G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3
STMicroelectronics
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1 | • Very fast and robust intrinsic body diode• Very low RDS(on) over the entire temperature range• High speed switching performances• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) | Transistor Outline, Vertical | SCT040W120G3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040TO65G3
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package | Other | SCT040TO65G3 |
3
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SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an HU3PAK package | Other | SCT040HU65G3AG |
3
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SCT040H120G3-7
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H120G3-7 |
2
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SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package | Other | SCT040HU120G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H120G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
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1 | • AEC-Q101 qualified• Very low RDS(on) over the entire temperature range• High speed switching performances• Very fast and robust intrinsic body diode• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) | Transistor Outline, Vertical | SCT040W120G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402HPF-3N6D
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.0036uH, 13.8889%, 1 Element, SMD, 0402 | CT0402HPF-3N6D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402HPF-39NJ
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.039uH, 5%, 1 Element, SMD, 0402 | CT0402HPF-39NJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CSF-5N1J
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.0051uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402CSF-5N1J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402QWF-9N1J
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.0091uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402QWF-9N1J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402HPF-40NJ
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.04uH, 5%, 1 Element, SMD, 0402 | CT0402HPF-40NJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402LSF-78NK
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.078uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 0402 | CT0402LSF-78NK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CSF-36NJ
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.036uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402CSF-36NJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CS-4N3G
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.0043uH, 2%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD | CT0402CS-4N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402QWF-19NG
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.019uH, 2%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402QWF-19NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CSF-13NG
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.013uH, 2%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402CSF-13NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||