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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W120G3-4AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W120G3-4 |
3
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SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W65G3-4AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W65G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 110 A in an HiP247 package | Transistor Outline, Vertical | SCT040W65G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package | Other | SCT040W65G3-4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT04-050
ICE Components
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1 | Current Transformers SMT Current Sense Xfmr 20A, 1:50 | Other | CT04-050 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040H65G3-7
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H65G3-7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H65G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3
STMicroelectronics
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1 | • Very fast and robust intrinsic body diode• Very low RDS(on) over the entire temperature range• High speed switching performances• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) | Transistor Outline, Vertical | SCT040W120G3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040TO65G3
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package | Other | SCT040TO65G3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040H120G3-7
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H120G3-7 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an HU3PAK package | Other | SCT040HU65G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package | Other | SCT040HU120G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package | Other | SCT040H120G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
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1 | • AEC-Q101 qualified• Very low RDS(on) over the entire temperature range• High speed switching performances• Very fast and robust intrinsic body diode• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) | Transistor Outline, Vertical | SCT040W120G3AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402D
EMC Technology RF Labs
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1 | 0MHz Min, 18000MHz Max, 50ohm | CT0402D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402LSF-R22J
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.22uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 0402 | CT0402LSF-R22J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402HPF-1N0J
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.001uH, 5%, 1 Element, SMD, 0402 | CT0402HPF-1N0J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402QWF-33NH
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.033uH, 3%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402QWF-33NH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CSF-62NK
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.062uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0402 | CT0402CSF-62NK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402LSF-R14K
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.14uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 0402 | CT0402LSF-R14K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CS-36NK
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.036uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD | CT0402CS-36NK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402HPF-3N6K
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.0036uH, 10%, 1 Element, SMD, 0402 | CT0402HPF-3N6K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402CS-2N2J
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.0022uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD | CT0402CS-2N2J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CT0402LSF-78NK
Central Technologies
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1 | General Purpose Inductor, 0.078uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 0402 | CT0402LSF-78NK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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