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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1N60
Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.
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1 | ・General Rectifying Diodes・High Voltage・Pb free terminal・RoHS:Yes | D1N60 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1N60-5070
Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.
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1 | ・General Rectifying Diodes・High Voltage・Pb free terminal・RoHS:Yes | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | D1N60-5070 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1N60-5060
Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.
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1 | ・General Rectifying Diodes・High Voltage・Pb free terminal・RoHS:Yes | Other | D1N60-5060 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTM
onsemi
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1 | 1A, 600V, RDS(on) = 11.5Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.5A; RoHS compliant; 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 3.5pF); Low gate charge ( Typ. 4.8nC) | Other | FQD1N60CTM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1N60-4084
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon | D1N60-4084 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1N60-4000
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, Silicon | D1N60-4000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1N60-4083
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon | D1N60-4083 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1N60-4070
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, Silicon | D1N60-4070 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1N60-4060
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, Silicon | D1N60-4060 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD1N60ET4
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252AA | MTD1N60ET4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD1N60CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD1N60CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTM
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD1N60CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD1N60TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD1N60E
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252AA | MTD1N60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60TF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60TF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD1N60ET4
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTD1N60ET4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD1N60CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD1N60CTF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IFD1N60
Integral Research And Production Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IFD1N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AOD1N60
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 600V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AOD1N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SVD1N60M
Hangzhou Silan Microelectronics CO LTD
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SVD1N60M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||