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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMNH15H110SPS-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMNH15H110SPS-13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMNH10H028SPSQ-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMNH10H028SPSQ-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMNH10H028SCT
Diodes Incorporated
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1 | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | DMNH10H028SCT |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMNH10H028SPS-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMNH10H028SPS-13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMNH10H028SK3Q-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | DMNH10H028SK3Q-13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMNH15H110SK3-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | DMNH15H110SK3-13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMNH10H028SK3-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | DMNH10H028SK3-13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMNH10H028
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel high voltage MOSFET with 100V drain-source voltage, 55A continuous drain current, 28mΩ on-resistance at 10V gate-source voltage, and low gate charge, housed in a surface mount TO-252 package. | DMNH10H028 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMNH10H021SPSW-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMNH10H021SPSW-13 |
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