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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPC8004
Efficient Power Conversion
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1 | GANFET TRANS 40V 2.7A BUMPED DIE | Other | EPC8004 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8010
EPC
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1 | GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE | Other | EPC8010 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8009
EPC
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1 | GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE | Other | EPC8009 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8005
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 65V, 0.275ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6 | EPC8005 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8003
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6 | EPC8003 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8007
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 40V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6 | EPC8007 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8009
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 65V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6 | EPC8009 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8006
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 40V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6 | EPC8006 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8008
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 40V, 0.325ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6 | EPC8008 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8002
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6 | EPC8002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8010
Efficient Power Conversion
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-6 | EPC8010 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8010ENGR
EPC
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0 | EPC8010ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8002
EPC
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0 | EPC8002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8010TENGR
EPC
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0 | EPC8010TENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8005ENGR
EPC
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0 | EPC8005ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8002TENGR
EPC
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0 | EPC8002TENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8004ENGR
EPC
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0 | EPC8004ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8004
EPC
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0 | EPC8004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8004TENGR
EPC
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0 | EPC8004TENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8002ENGR
EPC
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0 | EPC8002ENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EPC8005TENGR
EPC
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0 | EPC8005TENGR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K4M51153LE-PC800
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 | K4M51153LE-PC800 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K4M51153LE-PC80
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54 | K4M51153LE-PC80 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K4M51163LE-PC80
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54 | K4M51163LE-PC80 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K4M51163LE-PC800
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 | K4M51163LE-PC800 |
0
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Build or Request |