Showing 25 of 905 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH104N60F-F085
onsemi
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1 | RoHS Compliant ; Qualified to AEC Q101 ; Typical Qg(tot) = 109 nC at VGS = 10V, ID = 18.5 A ; Typical RDS(on) = 91 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18.5 A ; UIS Capability | Transistor Outline, Vertical | FCH104N60F-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH104N60F
onsemi
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1 | Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 107 nC); 100% AvalancheTested; RDS(on) = 104 mΩ (Max); Low Effective Output Capacitance; RoHS Compliant | Transistor Outline, Vertical | FCH104N60F |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A20
Kyocera AVX
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1 | Diode 200 V 10A Through Hole TO-220-2 Full-Mold | Transistor Outline, Vertical | FCH10A20 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A10
Rugao Dachang Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB | FCH10A10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10U06
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon | FCH10U06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10AU10
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB | FCH10AU10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A04
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AB | FCH10A04 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A09
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 90V V(RRM), Silicon | FCH10A09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10U15
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon | FCH10U15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10U06
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 60V V(RRM), Silicon | FCH10U06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A10
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB | FCH10A10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10U20
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon | FCH10U20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A06
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 10A, 60V V(RRM) | FCH10A06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH104N60
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 600V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB | FCH104N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10U15
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon | FCH10U15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A20
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon | FCH10A20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A18
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 10A, 180V V(RRM) | FCH10A18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10U20
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon | FCH10U20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A18
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 180V V(RRM), Silicon | FCH10A18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A03L
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 30V V(RRM), Silicon | FCH10A03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH104N60F
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 600V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB | FCH104N60F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A15
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon | FCH10A15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10A20
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon | FCH10A20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH10U10
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon | FCH10U10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCH104N60F_F085
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 600V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | FCH104N60F_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||