Showing 24 of 24 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCPF380N60E
onsemi
|
1 | 650V @TJ = 150°C; 100% avalanche tested; Max. RDS(on) = 380mΩ; Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 34nC ); Low effective output capacitance ( Typ. Coss.eff = 97pF ) | Transistor Outline, Vertical | FCPF380N60E |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF36N60NT
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 600V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF36N60NT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60E-F152
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N60E-F152 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF360N65S3R0L-F154
onsemi
|
1 | 700 V @ TJ = 150 °C; Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 18 nC); Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 173 pF); Optimized Capacitance; Internal Gate Resistance: 1 Ω; Typ. RDS(on) = 310 mΩ; RoHS Compliant; 100% Avalanche Tested | FCPF360N65S3R0L-F154 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60-F154
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N60-F154 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60E-F154
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N60E-F154 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60_F152
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N60_F152 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N65FL1
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N65FL1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60-F152
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N60-F152 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N65FL1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N65FL1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60E
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FCPF380N60E |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF36N60NT
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 600V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF36N60NT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N65FL1-F154
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N65FL1-F154 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60E_F152
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N60E_F152 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60_F152
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N60_F152 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60E_F152
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N60E_F152 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF360N65S3R0L
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF360N65S3R0L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FCPF380N60
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF380N60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC4STFCPF3.500
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.5MHz Nom | FC4STFCPF3.500 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC4STFCPF3.500001
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.500001MHz Nom | FC4STFCPF3.500001 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC4STFCPF3.2
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.2MHz Nom | FC4STFCPF3.2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC4STFCPF3.5
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.5MHz Nom | FC4STFCPF3.5 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FC4STFCPF3.200
Fox Electronics
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.2MHz Nom | FC4STFCPF3.200 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||