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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8443
onsemi
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1 | Low Miller Charge, QGD = 32nC ( Typ.); RDS(on) = 2.3mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A; QG(tot) = 142nC ( Typ.); UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse); Qualified to AEC Q101 ; RoHS Compliant | Other | FDB8443 |
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FDB8445_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8445_F085 |
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FDB8444_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8444_F085 |
0
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FDB8441
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8441 |
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FDB8453LZ
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8453LZ |
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FDB8441
Rochester Electronics LLC
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1 | 28A, 40V, 0.0025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDB8441 |
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FDB8444TS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA | FDB8444TS |
0
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FDB8441
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8441 |
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FDB8447L
Rochester Electronics LLC
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1 | 15A, 40V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | FDB8447L |
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FDB8445
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8445 |
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FDB8445
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8445 |
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FDB8441_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8441_F085 |
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FDB8444
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 9.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8444 |
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FDB8444_F085
onsemi
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1 | 40V, 70A, 3.9mΩ, D2PAK N-Channel PowerTrench®, TO-263 2L (D2PAK), 800-TAPE REEL | FDB8444_F085 |
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FDB8442-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 2.9mΩ, TO-263 2L (D2PAK), 800-REEL, Automotive Qualified | FDB8442-F085 |
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FDB8453LZ
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 40V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263AB, 3 PIN | FDB8453LZ |
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FDB8447L
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8447L |
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FDB8444TS
Rochester Electronics LLC
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1 | 20A, 40V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AA, ROHS COMPLIANT, TO-263, 5 PIN | FDB8444TS |
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FDB8442
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8442 |
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FDB8443-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 80A, 3.0mΩ, TO-263 2L (D2PAK), 800-REEL, Automotive Qualified | FDB8443-F085 |
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FDB8443_F085
onsemi
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1 | 40V, 80A, 2.3mΩ, D2PAK N-Channel PowerTrench®, TO-263 2L (D2PAK), 800-TAPE REEL | FDB8443_F085 |
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FDB8447L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8447L |
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FDB8442
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-263AB | FDB8442 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDB8444-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 3.9mΩ, TO-263 2L (D2PAK), 800-REEL, Automotive Qualified | FDB8444-F085 |
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FDB8444
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 9.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FDB8444 |
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