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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2512
onsemi
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1 | Last Shipments - Dual N-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, 4.6A, 31mΩ | SOT23 (6-Pin) | FDC2512 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2512
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 150V, 0.425ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2512
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 100 V MOSFET with 0.095 ohm RDS(on) at 10 V VGS, 3.2 A continuous drain current, and 4.2 nC gate charge, suitable for high-speed switching and DC/DC converters in a TSOP-6 package. | FDC2512 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2512-G
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2512-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2512_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 150V, 0.425ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2512_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2512_F073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2512_F073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2512-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2512-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2512D87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 150V, 0.425ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2512D87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||