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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612
onsemi
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1 | RDS(on) = 725 mΩ@ VGS = 10 V ; Fast switching speed ; Low gate charge (8nC typical) ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; 1.1 A, 200V ; High power and current handling capability | SOT23 (6-Pin) | FDC2612 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612_F073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2612_F073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 0.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2612S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2605
ELMEC Technology Of America Inc
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1 | Passive Delay Line, 1-Func, 1-Tap, True Output, PSIP3 | FDC2605 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612A
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDC2612A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 0.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2612D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 0.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 0.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2612L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612D87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 0.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2612D87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612_F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2612_F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612
Rochester Electronics LLC
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1 | 1100mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SUPERSOT-6 | FDC2612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612_NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 0.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2612_NF073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC2612_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 200V, 0.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC2612_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB0805FDC267M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 2.67e+08ohm, 600V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCB0805FDC267M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB2512FDC267K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 267000ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCB2512FDC267K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGCB2010FDC267M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 267000000ohm, 300V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2010, CHIP | HGCB2010FDC267M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ2512FDC261M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 261000000ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCZ2512FDC261M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB2512FDC267M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 2.67e+08ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCB2512FDC267M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGCB0603FDC26K7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 26700ohm, 100V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP | HGCB0603FDC26K7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGCB1206FDC261M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.33W, 261000000ohm, 200V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP | HGCB1206FDC261M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ0603FDC26M1
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 26100000ohm, 400V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCZ0603FDC26M1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB0805FDC261M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 261000000ohm, 600V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCB0805FDC261M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG2010FDC26M7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 2.67e+07ohm, 2000V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2010 | HVCG2010FDC26M7 |
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HVCG3512FDC261K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 261000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCG3512FDC261K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ0805FDC261K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 261000ohm, 600V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCZ0805FDC261K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||