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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD2670
onsemi
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1 | High performance trench technology for extremelylow RDS(ON) ; RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10V ; High power and current handling capability ; Low gate charge ; 3.6 A, 200 V ; Fast switching speed | Other | FDD2670 |
3
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FDD2670_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD2670_NL |
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FDD2670
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD2670 |
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FDD26AN06A0
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD26AN06A0 |
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FDD26AN06A0-F085
onsemi
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1 | N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 36A, 26mΩ, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL, Automotive Qualified | FDD26AN06A0-F085 |
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FDD2612
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.9A, 200V, 0.72ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD2612 |
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FDD2670
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.6A, 200V, 0.13ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FDD2670 |
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FDD26AN06A0_F085
onsemi
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1 | 60V, 36A, 20mΩ, DPAK N-Channel PowerTrench®, TO-252 3L (DPAK), 5000-TAPE REEL | FDD26AN06A0_F085 |
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FDD2612
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 200V, 0.72ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD2612 |
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FDD26AN06A0
Rochester Electronics LLC
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1 | 7A, 60V, 0.058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | FDD26AN06A0 |
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FDD26AN06A0_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD26AN06A0_F085 |
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FC2BSBFDD26.000
Fox Electronics
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 26MHz Nom | FC2BSBFDD26.000 |
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HVCZ0603FDD261K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 261000ohm, 400V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCZ0603FDD261K |
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HVCS0603FDD26K1
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 26100ohm, 400V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCS0603FDD26K1 |
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HVCG0603FDD26M7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 2.67e+07ohm, 400V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCG0603FDD26M7 |
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HVCZ0805FDD267M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 2.67e+08ohm, 600V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCZ0805FDD267M |
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HVCZ2512FDD26K1
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 26100ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCZ2512FDD26K1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG0603FDD26M1
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 26100000ohm, 400V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCG0603FDD26M1 |
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HVCS0603FDD267K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 267000ohm, 400V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCS0603FDD267K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGCB0603FDD267K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 267000ohm, 100V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP | HGCB0603FDD267K |
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HGCB0805FDD267M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 267000000ohm, 125V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP | HGCB0805FDD267M |
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HVCS3512FDD26K1
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 26100ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 3512 | HVCS3512FDD26K1 |
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HGCB2512FDD26M7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 26700000ohm, 350V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | HGCB2512FDD26M7 |
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HVCB1206FDD267M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.33W, 2.67e+08ohm, 1500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | HVCB1206FDD267M |
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HVCB2512FDD26K1
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 26100ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCB2512FDD26K1 |
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