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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50NZTM
onsemi
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1 | N-Channel UniFETTM II MOSFET 500 V, 4 A, 1.5 Ω,-55 to +150 oC | Other | FDD5N50NZTM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N60NZTM
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 10nC); Improved dv/dt capability; 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 5pF); RoHS compliant; RDS(on) = 1.65Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.0A; ESD improved capability | Other | FDD5N60NZTM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50TF_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD5N50TF_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50TM
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD5N50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50TM-WS
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, 500 V, 4 A, 1.4 Ω, DPAK, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL | FDD5N50TM-WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50TM_WS
onsemi
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1 | N-Channel UniFETTM MOSFET 500V, 4A, 1.4Ω, TO-252 3L (DPAK), 30000-TAPE REEL | FDD5N50TM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50FTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD5N50FTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N60NZ
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD5N60NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50TM_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD5N50TM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50UTF_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD5N50UTF_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50FTF_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD5N50FTF_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50UTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB | FDD5N50UTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50NZFTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FDD5N50NZFTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50UTM_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD5N50UTM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50UTM_WS
onsemi
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1 | N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 500V, 3A, 2Ω, TO-252 3L (DPAK), 30000-TAPE REEL | FDD5N50UTM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50UTM-WS
onsemi
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1 | UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET, N-Channel, 500 V, 3 A, 2 Ω, DPAK, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL | FDD5N50UTM-WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50FTM_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD5N50FTM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N60NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD5N60NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N53TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 530V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD5N53TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N53TM
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 530V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD5N53TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N53TF
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 530V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD5N53TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50FTM_WS
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDD5N50FTM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50UTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB | FDD5N50UTF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50NZFTM
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDD5N50NZFTM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD5N50NZ
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD5N50NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||