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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N20TM
onsemi
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1 | Low Crss (Typ. 5pF); 100% avalanche tested; RDS(on) = 580mΩ (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.5A; Low gate charge (Typ. 5nC); RoHS compliant | Other | FDD7N20TM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N60NZTM
onsemi
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1 | RDS(on) = 1.05Ω (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.75A; Low Crss (Typ. 7pF); Low gate charge (Typ. 13nC); ESD improved capability; Improved dv/dt capability; 100% avalanche tested; RoHS compliant | Other | FDD7N60NZTM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N25LZTM
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; RDS(on) = 430mΩ (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 3.1A; RoHS compliant; Low gate charge (Typ. 12nC); Low Crss (Typ. 8pF); Improved dv/dt capability; ESD improved capability | Other | FDD7N25LZTM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N25LZ
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 250V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD7N25LZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N60NZTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD7N60NZTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N25LZTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 250V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD7N25LZTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N20TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD7N20TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N60NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDD7N60NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N60NZ
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD7N60NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N25LZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 250V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD7N25LZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDD7N20TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FDD7N20TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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