Showing 25 of 34 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6679AZ
onsemi
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1 | High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; HBM ESD protection level of 8 kV typical(note 3) ; High power and current handling capability ; Termination is Lead-free and RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 18 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -8.5 A ; Max rDS(on) = 10 mΩ at VGS = -10 V, ID = -11.5 A ; Extended VGSS range (-25 V) for battery applications | Other | FDMC6679AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6686P
onsemi
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1 | Max rDS(on) =11.5 mΩ at VGS = -1.8 V, ID = -11 A ; High power and current handling capability in a widely used surface mount package ; Lead-free and RoHS Compliant ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; Max rDS(on) = 5.7 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -16 A ; Max rDS(on) = 4 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -18 A | Other | FDMC6686P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC610P
onsemi
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1 | Max rDS(on) = 6.4 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -16 A; Lower output capacitance, gate resistance, and gate charge boost efficiency; RoHS Compliant; Max rDS(on) = 3.9 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -22 A; State-of-the-art switching performance; Shielded gate technology reduces switch node ringing and increases immunity to EMI and cross conduction | Other | FDMC610P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC612PZ
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC612PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6675BZ-F125
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC6675BZ-F125 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6685P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 12V, 0.0039ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC6685P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6686P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDMC6686P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6688P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC6688P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6890NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC6890NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6296
Rochester Electronics LLC
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1 | 11500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 8 PIN | FDMC6296 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6683PZ
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC6683PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6675BZ-F127
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC6675BZ-F127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6679AZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC6679AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC610P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 12V, 0.0039ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC610P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6675BZ-F126
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC6675BZ-F126 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6296
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDMC6296 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC612PZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC612PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6683PZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC6683PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6676PZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDMC6676PZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6675BZ-P
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0144ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC6675BZ-P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6683
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 20V, 0.0083ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC6683 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6675BZ
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.0144ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC6675BZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6890NZ
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC6890NZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6296
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDMC6296 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDMC6696P
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.0049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA | FDMC6696P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||