Showing 9 of 9 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDN302P
VBsemi Electronics Co Ltd
|
1 | P-Channel 20V -5A MOSFET in SOT-23 package with RDS(on) of 35 mOhm at VGS = -10V, featuring trench technology and suitable for load switches, PA switches, and DC/DC converters. | FDN302P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN302P
onsemi
|
1 | RDS(ON)= 0.055Ω @ VGS = –4.5 V ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); Fast switching speed; SuperSOT™ -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the samefootprint; RDS(ON) = 0.080Ω @ VGS = –2.5 V; –20 A, –2.4 V. | SOT23 (3-Pin) | FDN302P |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN302P
Rochester Electronics LLC
|
1 | 2400mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN302P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN302P
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN302P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN302P-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN302P-F095 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN302PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN302PS62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN302PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN302PL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN302PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN302PD87Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDN302P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN302P_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||