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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN336P
Shikues Semiconductor
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1 | -20V/-2A, RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V, 150mΩ@VGS=-2.5V, SOT-23, Power Management, Portable Equipment. | FDN336P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN336P
onsemi
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1 | RDS(ON) = 0.20Ω @ VGS= -4.5 V; High performance trench technology for extremely low RDS(ON).; Low gate charge (3.6 nC typical).; RDS(ON) = 0.27 Ω @ VGS= -2.5 V ; SuperSOT™ -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 inthe same footprint; -1.3 A, -20 V. | SOT23 (3-Pin) | FDN336P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN336P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN336P |
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FDN336P
Rochester Electronics LLC
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1 | 1300mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN336P |
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FDN336PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN336PS62Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN336PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN336PD87Z |
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FDN336P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN336P_NL |
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FDN336PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN336PL99Z |
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FDN336P-G
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN336P-G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||