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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN360P
onsemi
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1 | RDS(on) = 125 mΩ @ VGS = -4.5 V ; High Power Version of Industry Standard SOT-23 Package. Identical Pin-Out to SOT-23 with 30% Higher Power Handling Capability; High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on); -2 A, -30 V; Low Gate Charge (6.2nC typical); RDS(on) = 80 mΩ @ VGS = -10 V | SOT23 (3-Pin) | FDN360P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN361BN
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 235A, 3.2mΩ | SOT23 (3-Pin) | FDN361BN |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN360P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN360P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN360P-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN360P-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN360P-NBGT003B
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor | FDN360P-NBGT003B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN363N
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A, 100V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN363N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN361BN
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN361BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN361AN
Rochester Electronics LLC
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDN361AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN363N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN363N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN361AN_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN361AN_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN360P
Rochester Electronics LLC
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1 | 2000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | FDN360P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN360P-NBGT003B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN360P-NBGT003B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN360P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN360P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN361BN
Rochester Electronics LLC
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1 | 1400mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOT-23, 3 PIN | FDN361BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN360PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN360PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN361BN-G
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN361BN-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN361AND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN361AND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDN361AN
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDN361AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||