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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP045N10A-F102
onsemi
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1 | Fast Switching Speed ; RoHS Compliant; High Power and Current Handling Capability ; RDS(on) = 3.8mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 100A ; High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) ; Low Gate Charge, QG = 54 nC ( Typ.) | Transistor Outline, Vertical | FDP045N10A-F102 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047AN08A0
onsemi
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1 | Qg(tot) = 92nC (Typ.), VGS = 10V ; rDS(ON) = 4.0 mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A ; UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse); Low QRR Body Diode ; Low Miller Charge | Other | FDP047AN08A0 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047N10
onsemi
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1 | RDS(on) = 3.9mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A; High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on); Fast switching speed; RoHS compliant; Low Gate Charge; High Power and Current Handling Capability | Transistor Outline, Vertical | FDP047N10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF-DP-04-2-05.0-S-2-K-TR
SAMTEC
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1 | 64 Position Connector High Density Array, Male Surface Mount Gold | Other | NVAF-DP-04-2-05.0-S-2-K-TR |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF–DP–04–2–05.0–S–2
SAMTEC
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1 | 0.80 mm NovaRay Extreme Density & Performance Socket | Other | NVAF–DP–04–2–05.0–S–2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF-DP-04-1-05.0-S-2-K-TR
SAMTEC
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1 | 32 Position Connector High Density Array, Male Surface Mount Gold | Other | NVAF-DP-04-1-05.0-S-2-K-TR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047N10MW
Micross Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDP047N10MW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047N08
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 164A I(D), 75V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP047N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP040N06
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | FDP040N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047N10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP047N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047AN08A0-NB82014
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Transistor | FDP047AN08A0-NB82014 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047N08-F102
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 164A I(D), 75V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP047N08-F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP045N10A_F102
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | FDP045N10A_F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047AN08A0
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP047AN08A0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP040N06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP040N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047AN08A0_F102
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | FDP047AN08A0_F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047N10MD
Micross Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDP047N10MD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047AN08A0_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP047AN08A0_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047N10MWF
Micross Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDP047N10MWF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP045N10A_F102
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP045N10A_F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047N08
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 164A I(D), 75V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FDP047N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDP047AN08A0_F102
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FDP047AN08A0_F102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF-DP-04-2-05.0-S-2-K-FR
Samtec Inc
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1 | Board Stacking Connector, 64 Contact(s), 4 Row(s), Female, Straight, 0.023 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator, Socket | NVAF-DP-04-2-05.0-S-2-K-FR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF-DP-04-2-07.0-S-2-K-TR
Samtec Inc
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1 | Board Stacking Connector, 64 Contact(s), 4 Row(s), Female, Straight, 0.094 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator, Socket | NVAF-DP-04-2-07.0-S-2-K-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVAF-DP-04-1-05.0-S-2-K-FR
Samtec Inc
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1 | Board Stacking Connector, 32 Contact(s), 4 Row(s), Female, Straight, 0.023 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator, Socket | NVAF-DP-04-1-05.0-S-2-K-FR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||