Showing 25 of 50 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS3672
onsemi
|
1 | Optimized efficiency at high frequencies; RDS(ON) = 19mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 7.5A; Qg(TOT) = 28nC (Typ.), VGS = 10V; Low QRR Body Diode; UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse); Low Miller Charge | Small Outline Packages | FDS3672 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3692
onsemi
|
1 | UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse); Low QRR Body Diode; Optimized efficiency at high frequencies; Formerly developmental type 82745; Low Miller Charge; Qg(tot) = 11nC (Typ.), VGS = 10V; rDS(ON) = 50mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 4.5A | Small Outline Packages | FDS3692 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3612
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3612 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3601N
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3601N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3692
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3692 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3670L86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3670L86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3672S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | FDS3672S62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3690L86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3690L86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3672L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | FDS3672L99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3670_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3670_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3670F011
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3670F011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3672D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | FDS3672D84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3672_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | FDS3672_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3682_NL
Rochester Electronics LLC
|
1 | 6A, 100V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, SO-8 | FDS3682_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3612F011
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3612F011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3601
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3601 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3601NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3601NL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3680D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3680D84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3680
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3680 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3601_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3601_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3612D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3612D84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3680L86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3680L86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3672
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | FDS3672 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3670S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3670S62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS3672L86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS3672L86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||