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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612A
onsemi
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1 | Low gate charge ; Fast switching speed ; RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10 V ; High power and current handling capability ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; 8.4 A, 30 V ; RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V | Small Outline Packages | FDS6612A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612A
Rochester Electronics LLC
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1 | 8400mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 | FDS6612A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6612A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6612AD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612A_NF40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6612A_NF40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612A-OLDDIE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6612A-OLDDIE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612A-NB5E029A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6612A-NB5E029A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612AL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6612AL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612AS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6612AS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDS6612A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6612A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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