Showing 14 of 14 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS6675
onsemi
|
1 | Obsolete - 30V N-Channel PowerTrench SyncFET 14.5A, 6.0mΩ | Small Outline Packages | FDS6675 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6675 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675BZ
onsemi
|
1 | Max rDS(on) = 13mΩ at VGS = -10V, ID = -11A ; Extended VGS range (-25V) for battery applications ; RoHS Compliant ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; Max rDS(on) = 21.8mΩ at VGS = -4.5V, ID = -9A ; HBM ESD protection level of 5.4 KV typical (note 3) ; High power and current handing capability | Small Outline Packages | FDS6675BZ |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6675A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6675A_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675A
Rochester Electronics LLC
|
1 | 11000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 | FDS6675A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675BZ
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6675BZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675L86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6675L86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6675S62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675F011
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6675F011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675BZ
Rochester Electronics LLC
|
1 | 11000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8 | FDS6675BZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6675D84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6675_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6675L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6675L99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||