FDS68 Model Download Search Results
Showing 25 of 72 results
Price & Stock Powered by 
Findchips
Findchips
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6892A
onsemi
|
1 | Obsolete - Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET 20V, 9.4A, 10mΩ | Small Outline Packages | FDS6892A |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZ
onsemi
|
1 | ESD protection diode (note 3); 9.4 A, 20 V; High power and current handling capability; RDS(ON) = 18 mΩ @ VGS = 2.5 V; Low gate charge (16 nC typical); High performance trench technology for extremely low RDS(ON); RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = 4.5 V | Small Outline Packages | FDS6898AZ |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898A
onsemi
|
1 | High power and current handling capability; Low gate charge (16 nC typical); 9.4 A, 20 V; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); RDS(ON) = 18 mΩ @ VGS = 2.5 V; RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = 4.5 V | Small Outline Packages | FDS6898A |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6875
onsemi
|
1 | High power and current handling capability.; Low gate charge (23nC typical).; -6 A, -20 V RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = -4.5 V RDS(ON) = 0.040 Ω @ VGS = -2.5 V.; High performance trench technology for extremely low RDS(ON). | Small Outline Packages | FDS6875 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6890A
onsemi
|
1 | High performance trench technology for extremely low RDS(ON).; Fast switching speed.; High power and current handling capability.; 7.5 A, 20 V RDS(ON) = 0.018 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS = 2.5 V.; Low gate charge (23nC typical). | Small Outline Packages | FDS6890A |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6890AL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.019ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890AL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6892AZF011
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6892AZF011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6875
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6875 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6894A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6894A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6875_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6875_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6890A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6890A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 20V, 0.014ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6898A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6892A_NF40
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6892A_NF40 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6894A
Rochester Electronics LLC
|
1 | 8A, 20V, 0.017ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOIC-8 | FDS6894A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZ_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 20V, 0.014ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 | FDS6898AZ_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6814S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6814S62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898A-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6898A-F095 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6875D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6875D84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6812AL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6812AL86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6814L86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6814L86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6892A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6892A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6892A_NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.018ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6892A_NF073 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6815
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.04ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6815 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6898AZ_F085
onsemi
|
1 | 20V, 9.4A,10mΩ, SO-8, Logic Level Dual N-Channel PowerTrench®, SO 8L NB, 5000-TAPE REEL | FDS6898AZ_F085 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS6875L86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS6875L86Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/FDS6892A.jpg",null,null])
![Part Image]([null,null,"//content.supplyframe.com/images/process/fit-in/100x100/p/sot23_8.jpg"])
Can't find what you're looking for?
Request this part