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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT3612
onsemi
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1 | High power and current handling capability in awidely used surface mount package; RDS(on) = 130 mΩ @ VGS = 6 V; RDS(on) = 120 mΩ@ VGS = 10 V; High performance trench technology for extremely low RDS(ON); 3.7 A, 100 V; Fast switching speed; Low gate charge (14nC typical) | SOT223 (3-Pin) | FDT3612 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT3612
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.7A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | FDT3612 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT3612_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT3612_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT3612D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT3612D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT3612
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT3612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT3612L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT3612L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT3612S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT3612S62Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT3612J23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT3612J23Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DFDT36H
AUK Contractors Co Ltd
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1 | Board Connector, 36 Contact(s), 2 Row(s), Female, 0.039 inch Pitch, Crimp Terminal, Locking, Plug | DFDT36H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||