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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457N
onsemi
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1 | High density cell design for extremely low RDS(ON) ; 5 A, 30 V RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V ; High power and current handling capability in a widely used surface mount package | Other | FDT457N |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT457N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457NJ23Z
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT457NJ23Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | FDT457NS62Z |
0
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FDT457N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT457N_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457ND84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | FDT457ND84Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDT457NJ23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT457NJ23Z |
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FDT457NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | FDT457NL99Z |
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FDT457NL84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDT457NL84Z |
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