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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Infineon
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1 | INFINEON - FF6MR12W2M1PB11BPSA1 - Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, IGBT Modules | Other | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XC9276BFF6MR-G
Torex
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1 | Ultra-Low Quiescent Current, Synchronous Step-Down PFM DC/DC Converter with Output voltage selectable function, SOT-26W | SOT23 (6-Pin) | XC9276BFF6MR-G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12KM1P
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 1200V, 0.00581ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | FF6MR12KM1P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12W2M1B11BOMA1
Infineon
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1 | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12W2M1_B11
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1200V, 0.00563ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | FF6MR12W2M1_B11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12W2M1P_B11
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1200V, 0.00563ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | FF6MR12W2M1P_B11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12KM1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 1200V, 0.00581ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | FF6MR12KM1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12KM1PHOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 1200V, 0.00581ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | FF6MR12KM1PHOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12KM1BOSA1
Infineon
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1 | Discrete Semiconductor Modules | FF6MR12KM1BOSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12KM1HPHPSA1
Infineon
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1 | Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM | FF6MR12KM1HPHPSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12KM1HHPSA1
Infineon
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1 | Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM | FF6MR12KM1HHPSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF6MR12W2M1HB11BPSA1
Infineon
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1 | Discrete Semiconductor Modules | FF6MR12W2M1HB11BPSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||