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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N90C_F109
onsemi
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1 | Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin TO-3P | Transistor Outline, Vertical | FQA6N90C_F109 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N90C
Rochester Electronics LLC
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1 | 6A, 900V, 2.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA6N90C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N80_F109
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 800V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA6N80_F109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N90C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA6N90C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N90C-F109
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 6 A, 2.3 Ω, TO-3P, TO-3PN 3L, 450-TUBE | FQA6N90C-F109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N90_F109
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA6N90_F109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N90C_F109
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA6N90C_F109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N80
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.3A, 800V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA6N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N70
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 700V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA6N70 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 800V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA6N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N70
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.4A, 700V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA6N70 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N90
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.4A, 900V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | FQA6N90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQA6N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQA6N90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||