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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD19N10LTM
onsemi
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1 | ON SEMICONDUCTOR - FQD19N10LTM - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 15.6 A, 0.074 ohm, TO-252AA, Surface Mount | Other | FQD19N10LTM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD19N10LTM
Rochester Electronics LLC
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1 | 15.6A, 100V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD19N10LTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD19N10LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD19N10LTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||