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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTM
onsemi
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1 | 1A, 600V, RDS(on) = 11.5Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.5A; RoHS compliant; 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 3.5pF); Low gate charge ( Typ. 4.8nC) | Other | FQD1N60CTM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N80TM
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 5.5nC); Low Crss ( Typ. 2.7pF); 1A, 800V, RDS(on) = 20Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.5A; 100% avalanche tested | Other | FQD1N80TM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N80
onsemi
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0 | MOSFET QF 800V 20.0OHM DPAK | Other | FQD1N80 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTM
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD1N60CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD1N60CTF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD1N60CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD1N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD1N60CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60CTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD1N60CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N80TM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N80TM_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD1N60TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1A, 600V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD1N60TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N80TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N80TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N50TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.1A, 500V, 9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD1N50TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N50TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.1A, 500V, 9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD1N50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N50B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD1N50B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N80TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N80TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N60TF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N60TF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD1N50TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD1N50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||