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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2P40TM
onsemi
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1 | RoHS Compliant; Low Crss ( Typ. 6.5pF); -1.56A, -400V, RDS(on) = 6.5Ω(Max.) @VGS = -10 V, ID = -0.78A; 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 10nC) | Other | FQD2P40TM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2P40TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.56A I(D), 400V, 6.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2P40TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2P25TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2P25TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2P40TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.56A, 400V, 6.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD2P40TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2P25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2P25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2P25TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2P25TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2P40TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.56A I(D), 400V, 6.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2P40TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2P40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.56A I(D), 400V, 6.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2P40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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