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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P50
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD3P50 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P50TM_F085
onsemi
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1 | 500V P-Channel MOSFET, TO-252 3L (DPAK), 30000-TAPE REEL | FQD3P50TM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P50TM-AM002BLT
onsemi
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1 | Low Crss ( Typ. 9.5pF); -2.1A, -500V, RDS(on) = 4.9Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = -1.05A; Low gate charge ( Typ. 18nC); 100% avalanche tested | FQD3P50TM-AM002BLT |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD3P50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P50TM_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD3P50TM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P50TM-F085
onsemi
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1 | 500V P-CHANNEL MOSFET | FQD3P50TM-F085 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P50TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD3P50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD3P20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P50TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD3P50TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P20TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD3P20TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P50TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.1A, 500V, 4.9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD3P50TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P50TM
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD3P50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P20TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD3P20TM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD3P20TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.4A, 200V, 2.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD3P20TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||