Showing 15 of 15 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5P10TM
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 250 V, 4.4 A, 1 Ω, DPAK | Other | FQD5P10TM |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P20TM
onsemi
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1 | Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -200 V, -3.7 A, 1.4 Ω, DPAK | Other | FQD5P20TM |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P20TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.7A, 200V, 1.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD5P20TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P20TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD5P20TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P10TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD5P10TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P10
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQD5P10 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P20TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.7A, 200V, 1.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD5P20TF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P10TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.6A, 100V, 1.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD5P10TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD5P20 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD5P10 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P10TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD5P10TF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P10TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.6A, 100V, 1.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD5P10TF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P10TM-X
onsemi
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0 | FQD5P10TM-X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P20TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD5P20TF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQD5P20TM_F080
onsemi
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0 | FQD5P20TM_F080 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||