Showing 25 of 33 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N50CTM
onsemi
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1 | N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 2.5W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount TO-252AA | Other | FQD6N50CTM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N25TM
onsemi
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1 | RoHS compliant; 4.4A, 250V, RDS(on) = 1.0Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.2A; Low Crss ( Typ. 7.5pF); Low gate charge ( Typ. 6.6 nC); 100% avalanche tested | Other | FQD6N25TM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N40CTM
onsemi
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1 | 4.5A, 400V, RDS(on) = 1.0Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.25A; Low gate charge ( Typ. 16nC); Low Crss ( Typ. 15pF); 100% avalanche tested | Other | FQD6N40CTM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N25TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD6N25TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N40C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N40C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N60CTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 600V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | FQD6N60CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N50CTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N50CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N40C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N40C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N60CTM
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 600V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | FQD6N60CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N60CTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N60CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N50CTM
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 500V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD6N50CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N40CTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FQD6N40CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N50CTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N50CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N40CTM
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD6N40CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N40CTM-NBEA002
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N40CTM-NBEA002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N40CTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FQD6N40CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N50C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N40CTM-F101
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQD6N40CTM-F101 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N60CTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N60CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N60CTM-WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N60CTM-WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N50CTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 500V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD6N50CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N40CTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD6N40CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N25TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD6N25TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD6N15TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD6N15TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||