Showing 25 of 25 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQP12P20
onsemi
|
1 | Low gate charge ( Typ. 31nC); -11.5A, -200V, RDS(on) = 470mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -5.75A; 100% avalanche tested; RoHS Compliant; Low Crss ( Typ. 30pF) | Transistor Outline, Vertical | FQP12P20 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12N20LJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP12N20LJ69Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12N20J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP12N20J69Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12P10J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP12P10J69Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12N20
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP12N20 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12N60
Rochester Electronics LLC
|
1 | 10.5A, 600V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP12N60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12P10
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP12P10 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12N60J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP12N60J69Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12P10
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP12P10 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12N60
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP12N60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12P20J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP12P20J69Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12P20_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP12P20_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12P20
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 200V, 0.47ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP12P20 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12N60C
Rochester Electronics LLC
|
1 | 12A, 600V, 0.65ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | FQP12N60C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12N20L
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP12N20L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP12N60C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FQP12N60C
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP12N60C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFC-1FQP125-A
TE Connectivity
|
1 | Cable Assembly, 60 Conductor(s), Communication Cable | IFC-1FQP125-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFC-0FQP125
TE Connectivity
|
1 | Interconnection Device | IFC-0FQP125 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFC-1FQP125-L
TE Connectivity
|
1 | Cable Assembly, 60 Conductor(s), Communication Cable | IFC-1FQP125-L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFC-0FQP125-L
TE Connectivity
|
1 | Interconnection Device | IFC-0FQP125-L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFC-0FQP125-A
TE Connectivity
|
1 | Interconnection Device | IFC-0FQP125-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFC-0FQP125-2
TE Connectivity
|
1 | Interconnection Device | IFC-0FQP125-2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFC-1FQP125
TE Connectivity
|
1 | Cable Assembly, 60 Conductor(s), Communication Cable | IFC-1FQP125 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IFC-1FQP125-2
TE Connectivity
|
1 | Cable Assembly, 60 Conductor(s), Communication Cable | IFC-1FQP125-2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||