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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N10
onsemi
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1 | Low Crss ( Typ. 20pF); Low gate charge ( Typ. 12nC); 12.8A, 100V, RDS(on) = 180mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 6.4A; 175°C maximum junction temperature rating; 100% avalanche tested | Transistor Outline, Vertical | FQP13N10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N06L
onsemi
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1 | Low Crss ( Typ. 17pF); 175°C maximum junction temperature rating; 13.6A, 60V, RDS(on) = 110mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 6.8A; Low gate charge ( Typ. 4.8nC); 100% avalanche tested | Transistor Outline, Vertical | FQP13N06L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N10L
onsemi
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1 | 12.8A, 100V, RDS(on) = 180mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 6.4A; 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 20pF); 175°C maximum junction temperature rating; Low gate charge ( Typ. 8.7nC) | Transistor Outline, Vertical | FQP13N10L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 45nC); 12.5A, 500V, RDS(on) = 430mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 6.25A; Low Crss ( Typ. 25pF) | Transistor Outline, Vertical | FQP13N50 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50C
onsemi
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1 | MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 | Transistor Outline, Vertical | FQP13N50C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N06
Rochester Electronics LLC
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1 | 13A, 60V, 0.135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP13N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP13N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N06J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP13N06J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N06LJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP13N06LJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 500V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP13N50J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N10LJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP13N10LJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50C
Rochester Electronics LLC
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1 | 13A, 500V, 0.48ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP13N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP13N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N06_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP13N06_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N10J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP13N10J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N06L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP13N06L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N10L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP13N10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50C-F080
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP13N50C-F080 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP13N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50CF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP13N50CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50C_F105
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3 | FQP13N50C_F105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50C-F105
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP13N50C-F105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 500V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP13N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP13N50C_F105
onsemi
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1 | N-Channel QFET® MOSFET 500V, 13A, 480mΩ, TO-220 3L, 8000-RAIL | FQP13N50C_F105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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