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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17P10
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 100pF); -16.5A, -100V, RDS(on) = 190mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -8.25A; 175°C maximum junction temperature rating; Low gate charge ( Typ. 30nC) | Transistor Outline, Vertical | FQP17P10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17N40
onsemi
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1 | 16A, 400V, RDS(on) = 270mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 8A; 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 45nC); Low Crss ( Typ. 30pF) | Transistor Outline, Vertical | FQP17N40 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17P06
onsemi
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1 | 175°C maximum junction temperature rating; 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 21nC); -17A, -60V, RDS(on) = 0.12Ω(Max.) @VGS = -10 V, ID = -8.5A; Low Crss ( Typ. 80pF) | Transistor Outline, Vertical | FQP17P06 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17N08
Rochester Electronics LLC
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1 | 16.5A, 80V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP17N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17P06J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP17P06J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17N40J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP17N40J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17P06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP17P06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17P10J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP17P10J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17P06_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP17P06_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17N08LJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP17N08LJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17N08L
Rochester Electronics LLC
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1 | 16.5A, 80V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP17N08L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17N08
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP17N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17N08J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP17N08J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17N08L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP17N08L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17P10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP17P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP17N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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