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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3P20
onsemi
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1 | -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7Ω(Max.) @VGS = -10 V, ID = -1.4A; Low gate charge ( Typ. 6nC); 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 7.5pF) | Transistor Outline, Vertical | FQP3P20 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3P20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3P20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3P20
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.8A, 200V, 2.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP3P20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3P20J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3P20J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||