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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N80C
onsemi
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1 | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FQPF8N80C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60C
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 28nC); 7.5A, 600V, RDS(on) = 1.2Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 3.75A; Low Crss ( Typ. 12pF) | Transistor Outline, Vertical | FQPF8N60C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8P10
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.3A, 100V, 0.53ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF8P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 250V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF8N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8P10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF8P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N80CXDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N80CXDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N80C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N80C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60CT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60CT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60CYDTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 7.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF8N60CYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N80CYDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N80CYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60C_F105
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF8N60C_F105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N90C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N90C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60CFT
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.26A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60CFT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N80CYDTU
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N80CYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60CYDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60CYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60CT
Rochester Electronics LLC
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1 | 7.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF8N60CT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N90C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N90C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60CT_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60CT_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF85N06
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF85N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60CFT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.26A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF8N60CFT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF85N06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF85N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF8N60C
Rochester Electronics LLC
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1 | 7.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF8N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||