Showing 25 of 43 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50CF
onsemi
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1 | Low Crss ( Typ. 24pF); Low gate charge ( Typ. 28nC); 100% avalanche tested; 9A, 500V, RDS(on) = 850mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4.5A; Fast recovery body diode (Typ. 100ns) | Transistor Outline, Vertical | FQPF9N50CF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9P25
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 29nC); Low Crss ( Typ. 27pF); -6A, -250V, RDS(on) = 0.62Ω(Max.) @VGS = -10 V, ID = -3A | Transistor Outline, Vertical | FQPF9P25 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF9N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N08
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF9N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.3A, 500V, 0.73ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF9N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9P25
Rochester Electronics LLC
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1 | 6A, 250V, 0.62ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF9P25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 300V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF9N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N08L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF9N08L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF9N50_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF9N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50CT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF9N50CT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N25
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.7A, 250V, 0.42ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF9N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50T
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF9N50T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N30
Rochester Electronics LLC
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1 | 6A, 300V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF9N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50YDTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.3A, 500V, 0.73ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF9N50YDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50CYDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF9N50CYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N15
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF9N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF9N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N90C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF9N90C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50CT_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF9N50CT_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50T
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.3A, 500V, 0.73ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF9N50T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50C
Rochester Electronics LLC
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1 | 9A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF9N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF9N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50YDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF9N50YDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF9N50CT
Rochester Electronics LLC
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1 | 9A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF9N50CT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||