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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10TF
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 10pF); 1.7A, 100V, RDS(on) = 350mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.85A; Low gate charge ( Typ. 5.8nC) | SOT223 (3-Pin) | FQT7N10TF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10LTF
onsemi
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1 | Low Crss ( Typ. 10pF); 1.7A, 100V, RDS(on) = 350mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.85A; 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 5.8nC) | SOT223 (3-Pin) | FQT7N10LTF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10L
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | FQT7N10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | FQT7N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10LS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10LS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10LTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10LTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.7A, 100V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | FQT7N10LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10LL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10LL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10LTF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10LTF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.7A, 100V, 0.35ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | FQT7N10TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT7N10LD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT7N10LD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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