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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DDS39RFS10ACK
Texas Instruments
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1 | Data Acquisition ADCs/DACs - Specialized 16-bit 1-channel 2 0.48GSPS 12GHz RF di | BGA | DDS39RFS10ACK |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-3-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-3-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-03-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-03-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-06-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-06-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-06
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-3-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-3-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-03-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-03-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-06-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-06-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-06
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-06-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-06-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-2-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-2-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-3-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-3-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-2-T13
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-2-T13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-2
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-2-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-2-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-06-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-06-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-06-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-06-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-3-T13
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-3-T13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-3-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-3-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-06F-T13
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-06F-T13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-06
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-06
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-06
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||