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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0308CF
Renesas Electronics
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1 | Drain to source breakdown voltage V(BR)DSS 30 — — V ID = 10 mA, VGS = 0 | Transistor Outline, Vertical | H7N0308CF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0307LMTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0307LMTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0310LSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0310LSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0308LM
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0308LM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0308LS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0308LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0312LSTR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0312LSTR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0311LD
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0311LD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0310LS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0310LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0307LSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0307LSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0312LS
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 30V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0312LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0307AB-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | H7N0307AB-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0311LSTR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0311LSTR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0312LSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 30V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0312LSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0310LD
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0310LD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0310LD-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0310LD-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0308AB
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | H7N0308AB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0310LM
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0310LM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0310LD
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0310LD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0307AB
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | H7N0307AB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0312LS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 30V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0312LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0307LD-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0307LD-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0308LS-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0308LS-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0308CF-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | H7N0308CF-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0312LD
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 30V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H7N0312LD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H7N0308AB
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | H7N0308AB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||