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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1010RJ-EL-E
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. . | Small Outline Packages | HAF1010RJ-EL-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1010RJ
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. . | Small Outline Packages | HAF1010RJ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1008-90L-E
Renesas Electronics
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1 | Support is limited to customers who have already adopted these products. | Other | HAF1008-90L-E |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MCRM2HAF-10R-V-B
Multicomp Pro
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1 | Rotary Coded Switch, Surface Mount, 10 Position, 24 VDC, BCD, 25 mA | Other | MCRM2HAF-10R-V-B |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM3HAF-10R-V-B
Diptronics
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1 | Coded Rotary Switches SMD 3x3 TERMINAL 7.3mm ACTUATOR , 25mA , 24VDC , -40°C ~ +85°C | Other | RM3HAF-10R-V-B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF-10L
TDK Lambda
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1 | Accessories, Heatshink for power module, For PAF450F, PAF500F, PAF600F, PAF700F, PFE300SA, PFE500SA, PFE700SA | Other | HAF-10L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1002L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1002L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1002(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 15A, 60V, 0.13ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-4 | HAF1002(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1009(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1009(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1004(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.34ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1004(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1004(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1004(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1002-90STL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1002-90STL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1009(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 40A, 60V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | HAF1009(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1009-90L-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1009-90L-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1008L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1008L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1002S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1002S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF10-50K5003
Advanced-Connectek Inc
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1 | D Type Connector, 50 Contact(s), Male, Receptacle | HAF10-50K5003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1004S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.34ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1004S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1004(L)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1004(L)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1009L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1009L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF10-50K2003
Advanced-Connectek Inc
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1 | D Type Connector, 50 Contact(s), Male, Receptacle | HAF10-50K2003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1002-90STR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1002-90STR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1003(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1003(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF10-50K5000
Advanced-Connectek Inc
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1 | D Type Connector, 50 Contact(s), Male, Receptacle | HAF10-50K5000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF1008-90STL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF1008-90STL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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