Showing 25 of 326 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S10N120BNST
onsemi
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1 | Low Saturation Voltage : V CE(sat) = 2.45 V @ I C = 10A; Typical Fall Time. . . . . . . . . .140ns at TJ = 150°C; Low Conduction Loss; 17A, 1200V, TC = 110°C; Short Circuit Rating | Other | HGT1S10N120BNST |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S3N60A4DS
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S3N60A4DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S7N60B3DS
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S7N60B3DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S11N120CNS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S11N120CNS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S20N60B3S
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S20N60B3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S7N60B3DS9A
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S7N60B3DS9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S15N120C3
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | HGT1S15N120C3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S3N60B3
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | HGT1S3N60B3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S12N60A4DS9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S12N60A4DS9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S3N60B3S9A
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S3N60B3S9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S7N60B3
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | HGT1S7N60B3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S12N60B3D
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | HGT1S12N60B3D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S7N60A4DS9A
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S7N60A4DS9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S12N60B3DS9A
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S12N60B3DS9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S5N120CNDS
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S5N120CNDS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S10N120CNS
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S10N120CNS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S3N60B3DS9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S3N60B3DS9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S7N60C3D
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | HGT1S7N60C3D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S20N60B3S9A
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S20N60B3S9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S20N35G3VL
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 320V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | HGT1S20N35G3VL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S12N60B3S
Rochester Electronics LLC
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1 | 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-4 | HGT1S12N60B3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S12N60C3RS9A
Intersil Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S12N60C3RS9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S12N60C3S
Harris Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S12N60C3S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S20N60C3RS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | HGT1S20N60C3RS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HGT1S14N41G3VLT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 445V V(BR)CES, N-Channel | HGT1S14N41G3VLT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||