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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC037S12S1XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 120 V 19A (Ta), 71A (Tc) 3.3W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount PG-TSON-6-2 , -40°C ~ 150°C (TJ) | Other | IGC037S12S1XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC033S101XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 21A (Ta), 76A (Tc) 3.3W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount PG-VSON-6-3 | Other | IGC033S101XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC033S10S1XTMA1
Infineon
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1 | GaN FETs MV GAN DISCRETES | Other | IGC033S10S1XTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC0330
IDEA Inc
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1 | Visible LED | IGC0330 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC03R60DE
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | IGC03R60DE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC03R60DEX1SA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | IGC03R60DEX1SA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC0330
Instrument Design Engineering Associates
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1 | Visible LED | IGC0330 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC037S12S1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 71A I(D), 120V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGC037S12S1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC033S10S1Q
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IGC033S10S1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC033S101
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGC033S101 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC033S10S1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | IGC033S10S1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC03R60D
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | IGC03R60D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC03R60DX1SA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | IGC03R60DX1SA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGC03R60DEX1SA2
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | IGC03R60DEX1SA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIGC03T60EX1SA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | SIGC03T60EX1SA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIGC03T60SEX1SA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | SIGC03T60SEX1SA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIGC03T60E
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | SIGC03T60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIGC03T60SNC
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | SIGC03T60SNC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIGC03T60X1SA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | SIGC03T60X1SA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIGC03T60SX1SA3
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | SIGC03T60SX1SA3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIGC03T60S
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | SIGC03T60S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIGC03T60SNCX1SA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | SIGC03T60SNCX1SA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIGC03T60SE
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel | SIGC03T60SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIGC03T60SN
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | SIGC03T60SN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||