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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG65R022M1H
Infineon
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1 | SiC MOSFET in compact SMD package -55 °C to 175 °C,650 V,300 W,194 A | Other | IMBG65R022M1H |
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IMBG65R048M1HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET VDS@TJ=25°C= 650V, RDS(on),max= 64mΩ, QG,typ= 33nC, IDM= 99A, Qoss@400V= 78nC, Eoss@400V= 11.7µJ, Package PG-TO263-7-12 | Other | IMBG65R048M1HXTMA1 |
3
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IMBG65R040M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 49A (Tc) 197W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 , 15V, 20V , 650 V , 997 pF , -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | IMBG65R040M2HXTMA1 |
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IMBG65R022M1HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET VDS@TJ=25°C= 650V, RDS(on),max= 30mΩ, QG,typ= 67nC, IDM= 194A, Qoss@400V= 158nC, Eoss@400V= 23.8µJ, Package PG-TO263-7-12 | Other | IMBG65R022M1HXTMA1 |
2
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IMBG65R260M1HXTMA1
Infineon
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1 | 650V CoolSiC M1SiC Trench Power Device VDS max: 650V, RDS (on) max: 346mΩ, Qg,typ: 6nC, IDm: 19A, Eoss @ 400V: 3.4µJ, SMT, Package: PG-TO263-7-12 | Other | IMBG65R260M1HXTMA1 |
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IMBG65R039M1HXTMA1
Infineon
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1 | Silicon Carbide MOSFET , Single, N Channel, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263 | Other | IMBG65R039M1HXTMA1 |
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IMBG65R083M1HXTMA1
Infineon
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1 | SiC MOSFET in compact SMD package | Other | IMBG65R083M1HXTMA1 |
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IMBG65R033M2HXTMA1
Infineon
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1 | SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? | Other | IMBG65R033M2HXTMA1 |
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IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET VDS@TJ=25°C= 650V, RDS(on),max= 94mΩ, QG,typ= 22nC, IDM= 69A, Qoss@400V= 52nC, Eoss@400V= 7.8µJ Package PG-TO263-7-12 | Other | IMBG65R072M1HXTMA1 |
2
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IMBG65R007M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 | Other | IMBG65R007M2HXTMA1 |
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IMBG65R107M1HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET VDS@TJ=25°C= 650V, RDS(on),max= 141mΩ, QG,typ= 15nC, IDM= 47A, Qoss@400V= 35nC, Eoss@400V= 5.3µJ Package PG-TO263-7-12 | Other | IMBG65R107M1HXTMA1 |
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IMBG65R030M1HXTMA1
Infineon
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1 | 650V Cool SiCª M1 SiC Trench Power Device, RDS(on),typ-163mΩ, RDS(on),max-217mΩ, QG,typ-10nc, IDM-31A | Other | IMBG65R030M1HXTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG65R015M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 115A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 | Other | IMBG65R015M2HXTMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon
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1 | 650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice | Other | IMBG65R057M1HXTMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG65R107M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG65R107M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG65R260M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.346ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG65R260M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG65R163M1HXTMA1
Infineon
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1 | 650V Cool SiC ªM1 SiC Trench Power Device, RDS(on),typ-163mΩ , RDS(on),max-217mΩ, QG,typ-10nc, IDM-31A | IMBG65R163M1HXTMA1 |
1
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IMBG65R072M1HXTMA1
TAIYO YUDEN
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1 | N-Channel 650 V 33A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 | IMBG65R072M1HXTMA1 |
1
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