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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB083N10N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB083N10N3GATMA1 |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB083N10N3GXT
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R - Tape and Reel | Other | IPB083N10N3GXT |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB081N06L3GATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Other | IPB081N06L3GATMA1 |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB083N15N5LFATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH >=100V | Other | IPB083N15N5LFATMA1 |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB083N10N3 G
Infineon
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1 | Infineon IPB083N10N3 G N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 100 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB083N10N3 G |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB081N06L3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB081N06L3 G |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB080N06NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB080N06NGATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB08CN10NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB08CN10NGATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB083N10N3G
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB083N10N3G |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB08CNE8NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 85V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB08CNE8NGATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB085N06LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB085N06LG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB081N06L3G
Infineon
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1 | Infineon IPB081N06L3G N-channel MOSFET Transistor, 50 A, 60 V, 3-Pin TO-263 | IPB081N06L3G |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB08CNE8NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 85V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB08CNE8NG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB080N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB080N03LG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB08CN10NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB08CN10NG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB083N15
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 150V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | IPB083N15 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB081N06L3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB081N06L3GXT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB080N03LGATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB080N03LGATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB080N06NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB080N06NG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB080N03LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB080N03LGXT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB083N15N5LF
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPB083N15N5LF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB08CN10N G
Infineon
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0 | IPB08CN10N G |
0
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Build or Request |